2021哈爾濱理工大學(xué)材料分析測(cè)試技術(shù)研究生考試大綱 正文

材料分析測(cè)試技術(shù)

適用專業(yè)名稱：材料物理與化學(xué)

參考書目：

《材料分析測(cè)試技術(shù)》，周玉、 武高輝，哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社，2007年；
《材料分析測(cè)試技術(shù)》，齊海群，北京大學(xué)出版，2010年；
《材料分析測(cè)試方法》黃新民、解挺，國防工業(yè)出版社，2006年。

一、考試目的與要求

測(cè)試考生掌握材料分析測(cè)試技術(shù)的基本原理和基本方法，以及采用x射線衍射和電子顯微鏡來分析材料的微觀組織結(jié)構(gòu)與顯微成分的能力。要求考生全面系統(tǒng)地掌握材料現(xiàn)代檢測(cè)技術(shù)（x射線衍射技術(shù)及在材料中的應(yīng)用、電子顯微分析技術(shù)及在材料中的應(yīng)用）的基本概念和基本原理，并能夠?qū)驹磉M(jìn)行靈活運(yùn)用，具有較強(qiáng)的材料檢測(cè)分析問題、解決問題的能力。

二、試卷結(jié)構(gòu)（滿分100分）

內(nèi)容比例： 
x射線衍射技術(shù)       約50分
電子顯微分析技術(shù)    約50分
題型比例：
     1．概念題        約30分
     2．簡(jiǎn)答題        約40分
     3．計(jì)算題        約10分
     4．綜合分析題    約20分

三、考試內(nèi)容與要求

   （一）X射線分析測(cè)試技術(shù)
考試內(nèi)容     
X射線性質(zhì)，X射線方向，X射線衍射強(qiáng)度，X射線物相分析，多晶體分析方法，宏觀應(yīng)力的測(cè)定。
 
考試要求
1. 了解X射線的產(chǎn)生、X射線與物質(zhì)相互作用時(shí)產(chǎn)生的各種物理效應(yīng)；
2. 掌握布拉格方程和倒易點(diǎn)陣，能夠運(yùn)用Ewald圖解進(jìn)行衍射分析、能計(jì)算各種不同空間點(diǎn)陣的晶體、有序－無序固溶體以及粉末多晶的結(jié)構(gòu)因子和X射線衍射強(qiáng)度；
3. 掌握德拜照相法和X射線衍射儀法的基本原理、了解其實(shí)驗(yàn)裝置、掌握其試樣制備方法和實(shí)驗(yàn)方法；
4. 熟練掌握X射線衍射在點(diǎn)陣常數(shù)的精確測(cè)定、多晶體物相分析、宏觀應(yīng)力的測(cè)定、晶粒大小的測(cè)定、單晶體取向的測(cè)定等方面的應(yīng)用。
（二）電子顯微分析技術(shù)
考試內(nèi)容     
電子衍射，電子顯微圖像，透射電子顯微鏡，晶體薄膜衍襯成像分析，掃描電子顯微鏡。
 
考試要求
1. 掌握電子衍射基本原理及衍射基本公式、有效相機(jī)常數(shù)。
2. 熟悉單晶、多晶和非晶體的電子衍射圖特征；
3. 了解兩種選區(qū)衍射方法(光闌選區(qū)衍射和微束選區(qū)衍射)，
5. 掌握單晶以及多晶電子衍射花樣的標(biāo)定方法和標(biāo)定步驟;
6. 了解復(fù)雜衍射花樣（高階勞厄斑點(diǎn)，超點(diǎn)陣斑點(diǎn)，二次衍射斑點(diǎn)，孿晶斑點(diǎn)，菊池線）；
7. 理解電子顯微圖像的質(zhì)厚襯度原理；
8. 理解衍射襯度原理、掌握衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)理論并能做簡(jiǎn)單的衍射波強(qiáng)度計(jì)算、熟悉衍襯圖像的基本特征；
9. 理解高分辨透射電子顯微術(shù)的相位襯度原理；
10. 熟練掌握透射電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及樣品制備方法；
11.理解電子束與固體樣品作用時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)，了解掃描電子顯微鏡的構(gòu)造、性能參數(shù)和工作原理；熟悉掃描電子顯微鏡樣品的制備方法；
12. 掌握二次電子成像原理和二次電子形貌襯度的應(yīng)用、掌握原子序數(shù)襯度原理及其應(yīng)用、掌握背散射電子襯度原理及其應(yīng)用；
13. 了解STM和AFM的分析測(cè)試原理、掌握STM和AFM在材料分析工作中的應(yīng)用。 

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