2021年寧波大學(xué)碩士研究生招生考試復(fù)試科目

    考　試　大　綱

    科目代碼、名稱:集成電路工藝原理

    一、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)

    （一）試卷滿分值及考試時間

    本試卷滿分為100分，考試時間為120分鐘。

    （二）答題方式

    答題方式為閉卷、筆試。試卷由試題和答題紙組成；答案必須寫在答題紙（由考點提供）相應(yīng)的位置上。

    （三）題型結(jié)構(gòu)

    簡答題和綜合題。

    二、考試科目簡介

    集成電路工藝原理課程是微電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)和其他相關(guān)專業(yè)的理論基礎(chǔ)課。作為微電子科學(xué)專業(yè)的碩士研究生，要求對于集成電路工藝中涉及的基本概念及原理有比較深入的了解和掌握。以當(dāng)代超大規(guī)模集成電路的小尺寸特征為切入點，圍繞抑制小尺寸效應(yīng)的現(xiàn)代工藝技術(shù)，展開介紹了目前較為成熟的集成電路制造工藝技術(shù)，重點考試核心工序及關(guān)鍵制造工藝過程的基本原理，其中包括氧化、擴散、離子注入、薄膜淀積、光刻、刻蝕、金屬化工藝以及工藝集成等內(nèi)容。

    三、考試內(nèi)容及具體要求

    （一）熟練掌握集成電路制造技術(shù)的發(fā)展歷程，集成電路制造技術(shù)特點，其中包括：集成電路的分類及其特點，摩爾定律，制備技術(shù)要求和面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展機遇。

    （二）熟練掌握集成電路制造工藝過程中材料的特性與制備，其中包括：硅晶體的結(jié)構(gòu)特點，硅晶體中的雜質(zhì)和缺陷，多晶硅的制備與純化，單晶硅的生長與切片。

    （三）熟練掌握薄膜淀積的基本原理，其中包括：外延技術(shù)（氣相外延、分子束外延、液相外延，外延缺陷與外延層檢測），化學(xué)氣相淀積（CVD工藝原理、工藝方法，CVD生長二氧化硅、氮化硅以及多晶硅薄膜），物理氣相淀積（真空系統(tǒng)、真空蒸鍍、濺射原理、等離子體）。

    （四）熟練掌握熱氧化的基本原理，其中包括：硅的熱氧化，初始氧化階段及薄氧化層制備，熱氧化過程中雜質(zhì)的再分布，氧化層質(zhì)量及檢測。

    （五）熟練擴散和離子注入等摻雜技術(shù)的基本原理，其中包括：晶體中熱擴散的基本特點與宏觀動力學(xué)方程，雜質(zhì)的擴散摻雜，影響雜質(zhì)分布的因素。離子注入的原理，注入離子在靶中的分布，注入損傷，離子注入設(shè)備與工藝，摻雜新技術(shù)。

    （六）熟練掌握光刻工藝和光刻技術(shù)的基本原理，其中包括：光刻工藝基本流程，光刻膠，正性與負(fù)性光刻，對準(zhǔn)與曝光技術(shù)，顯影，光刻設(shè)備，光學(xué)分辨率增強技術(shù)，光刻掩模版，熟悉光刻技術(shù)中的常見問題。

    （七）熟練掌握刻蝕技術(shù)的基本原理，其中包括：濕法刻蝕和干法刻蝕，刻蝕工藝要求，刻蝕應(yīng)用舉例，刻蝕技術(shù)新進(jìn)展。

    （八）熟練掌握金屬化與互連的基本原理，其中包括：硅-金屬的接觸，鎢填充塞，Cu金屬互連，CMP工藝和多層互連等。

    （九）了解工藝集成與監(jiān)控、封裝與測試的基本原理：CMOS集成電路工藝，雙極型集成電路工藝，工藝實時監(jiān)控與檢測，集成結(jié)構(gòu)測試圖形、芯片封裝技術(shù)，集成電路測試技術(shù)。

    四、參考教材或主要參考書

    1.《現(xiàn)代集成電路制造工藝原理》李惠軍等編，山東大學(xué)出版社，2006年；

    2.《集成電路制造技術(shù)-原理與工藝》王蔚等編，電子工業(yè)出版社，2013年。

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