寧波大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師：王國(guó)祥

發(fā)布時(shí)間：2021-11-20 編輯：考研派小莉 推薦訪問(wèn)：
寧波大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師：王國(guó)祥

寧波大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師：王國(guó)祥內(nèi)容如下，更多考研資訊請(qǐng)關(guān)注我們網(wǎng)站的更新！敬請(qǐng)收藏本站，或下載我們的考研派APP和考研派微信公眾號(hào)（里面有非常多的免費(fèi)考研資源可以領(lǐng)取，有各種考研問(wèn)題，也可直接加我們網(wǎng)站上的研究生學(xué)姐微信，全程免費(fèi)答疑，助各位考研一臂之力，爭(zhēng)取早日考上理想中的研究生院校。）

寧波大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師：王國(guó)祥 正文

[導(dǎo)師姓名]
王國(guó)祥

[所屬院校]
寧波大學(xué)

[基本信息]
導(dǎo)師姓名：王國(guó)祥
性別：男
人氣指數(shù)：1693
所屬院校：寧波大學(xué)
所屬院系：信息科學(xué)與工程學(xué)院
職稱：講師
導(dǎo)師類型：
招生專業(yè)：通信與信息系統(tǒng)、電子與通信工程
研究領(lǐng)域：相變存儲(chǔ)薄膜及熱電材料



[通訊方式]
辦公電話：057487609873
電子郵件：wangguoxiang@nbu.edu.cn

[個(gè)人簡(jiǎn)述]
碩博期間多次獲得獎(jiǎng)勵(lì)，2011年獲得寧波大學(xué)“曹光彪科研優(yōu)秀獎(jiǎng)”一等獎(jiǎng)，2014年獲中科院院長(zhǎng)獎(jiǎng)學(xué)金優(yōu)秀獎(jiǎng)。2011年起為“Applied Physics
A”、“Journal of Physics and Chemistry of Solids”和“Infrared Physics &
Technology”等國(guó)際知名期刊的審稿人。第一作者發(fā)表SCI論文20余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利5項(xiàng)。主要從事相變存儲(chǔ)薄膜及熱電材料的性能研究。
主要經(jīng)歷及任職：
1.2017/7-2018/7，德國(guó)萊布尼茨表面改性研究所，訪問(wèn)學(xué)者
2.2014/7-至今，寧波大學(xué)高等技術(shù)研究院
3.2011/9–2014/7，中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所，物理電子學(xué)，博士
4.2008/9–2011/3，寧波大學(xué)，通信與信息系統(tǒng)，碩士
5.2004/9–2008/7，黃河科技學(xué)院，通信工程，學(xué)士

[科研工作]
近5年來(lái)，以第一作者或通信作者發(fā)表論文30余篇（中科院版JCR分區(qū)大類一區(qū)1篇，二區(qū)8篇），授權(quán)發(fā)明專利5項(xiàng)，部分成果如下：
1、G.X. Wang, C. Li, D.T. Shi, et al. Controllable crystal growth and fast reversible crystallization-to-amorphization in Sb2Te-TiO2 films, Scientific Reports, 2017, 7:46279.
2、G.X. Wang, J.J. Li, D.F. Qi, et al. Controllable phase separation and improved grain growth mode of Mg-doped Sb7Te3 films, Ceramics International, 2017, In press, https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2017.06.114
3、C. Li,G.X. Wang* (Corresponding author), D.F. Qi, et al. Suppression for an intermediate phase in ZnSb films by NiO-doping, Scientific Reports, 2017, In press.
4、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, et al. Improved thermal stability of C-doped Sb2Te films by increasing degree of disorder for memory application, Thin Solid Films,2016,615:345-350.
5、G.X. Wang, Y.M. Chen, X. Shen, et al. Controllable formation of nano-crystalline in Sb4Te films by Zn doping，J. Appl. Phys., 2015, 117(4):045303.
6、G.X. Wang, Y.M. Chen, X. Shen, et al. Reversibility and stability of ZnO-Sb2Te3 nanocomposite films for phase change memory application, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2014, 6:8488.
7、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, et al. Improved phase-change characteristics of Zn-doped amorphous Sb7Te3 films for high-speed and low-power phase change memory, Appl. Phys. Lett., 2013,103:031914.
8、G.X. Wang, Q.H. Nie, X. Shen, et al. Phase change behaviors of Zn-doped Ge2Sb2Te5 films, Appl. Phys. Lett., 2012,101:51906.
9、X. Shen, G.X. Wang, R.P. Wang, et al. Enhanced thermal stability and electrical behavior of Zn-doped Sb2Te films for phase change memory application, Appl. Phys. Lett., 2013,102:131902.
10、Y.M. Chen, G.X. Wang, X. Shen, et al. Crystallization behaviors of ZnxSb100-x thin films for good data retention applications, CrystEngComm, 2014,16:757-762.
11、J.J. Li, G.X. Wang, J. Li, et al. Fast crystallization and low-power amorphization of Mg-Sb-Te reversible phase-change films,CrystEngComm, 2014,16(32):7401-7405.
12、G.X. Wang, X. Shen, Y.G. Lu, et al. Understanding the role of Zn in improving the phase change behaviors of Sb2Te3 films, Thin Solid Films, 2015, 585：57-65.
13、G.X. Wang, X. Shen, Y.G. Lu, et al. Investigation on pseudo-binary ZnSb-Sb2Te3 material for phase change memory application, J. Alloy Compd., 2015, 622: 341-346.
14、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, et al, Characterization of physical properties for Zn-doped Sb3Te films, Appl. Phys. Express, 2013,6:095801. 15、G.X. Wang, Q.H. Nie, X. Shen, et al. Advantages of Zn1.25Sb2Te3 material for phase change memory, Mater. Lett., 2012,87(15)135~138.
16、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, R.P. Wang, L.C. Wu, Y.G. Lv, F. Chen, J. Fu, S.X. Dai, J. Li. Improved thermal and electrical properties of the Al-doped Ge2Sb2Te5 films for phase-change random access memory, J. Phys. D: Appl. Phys., 2012,45:375302.
17、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, et al. Te-based chalcogenide films with high thermal stability for phase change memory, J. Appl. Phys., 2012,111:093514.
18、G.X. Wang, Q.H. Nie, X.S. Wang, et al. New far-infrared transmitting Te-based chalcogenide glasses, J. Appl. Phys., 2011,110:043536.
無(wú)
主持國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金1項(xiàng)，省部級(jí)項(xiàng)目2個(gè)，寧波市自然科學(xué)基金1個(gè)。清單如下：
1、國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金：Zn-Sb基納米復(fù)合相變薄膜的可控晶化和界面微結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性研究，項(xiàng)目批準(zhǔn)號(hào)：61604083，起止時(shí)間：2017.01-2019.12
2、浙江省自然科學(xué)基金：高性能納米復(fù)合相變材料的設(shè)計(jì)、制備及相變機(jī)理研究，項(xiàng)目批準(zhǔn)號(hào)：LQ15F040002，起止時(shí)間：2015.01-2017.12
3、國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金：紅外多光譜硫鹵玻璃的制備及性能，項(xiàng)目批準(zhǔn)號(hào)：M201510，起止時(shí)間：2015.7-2017.6
4、寧波市自然科學(xué)基金：基于結(jié)晶誘導(dǎo)相變功能復(fù)合薄膜的制備與界面穩(wěn)定性研究, 項(xiàng)目批準(zhǔn)號(hào)：2017A610094，起止時(shí)間：2016.6.1-2018.5.31
1、指導(dǎo)本科生團(tuán)隊(duì)一作品“新型納米復(fù)合相變薄膜的優(yōu)化設(shè)計(jì)與制備”獲得2017年浙江省第十屆挑戰(zhàn)杯大學(xué)生課外學(xué)術(shù)科技作品競(jìng)賽特等獎(jiǎng)及公開(kāi)答辯最佳創(chuàng)意獎(jiǎng)（全省僅2名）。

[教育背景]
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