姓名：朱樟明　性別：男　出生年月：1978年生
職稱(chēng)：教授　　學(xué)院：微電子學(xué)院

朱樟明，1978年生，浙江嵊州人，2000年7月本科畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)，2004年6月獲得西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位，2005年6月破格評(píng)為副教授，2005年12月評(píng)為碩士生導(dǎo)師，2009年破格評(píng)為教授，2009年12月評(píng)為博士生導(dǎo)師，現(xiàn)為西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師。主要研究方向?yàn)镃MOS模擬電路的低功耗設(shè)計(jì)、高速A/D轉(zhuǎn)換器及D/A轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)、新型集成體系結(jié)構(gòu)、SOC/NOC設(shè)計(jì)方法學(xué)等。已在國(guó)內(nèi)外高級(jí)期刊及國(guó)際會(huì)議上以第一作者身份發(fā)表研究論文50多篇，其中10多篇被SCI檢索，40多篇被EI檢索，出版專(zhuān)著一本，教材一本，申請(qǐng)及授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利10多項(xiàng)。

主要研究方向
1）、高速CMOS數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

2）、混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)

3）、SOC/NOC設(shè)計(jì)方法學(xué)

4）、集成電路低功耗關(guān)鍵技術(shù)

5）、基于TSV的三維集成電路相關(guān)技術(shù)

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