中國科技大學合肥微尺度物質(zhì)實驗室導師：閆文盛 正文

　　個人詳細信息
　　一、個人學習、工作及研究經(jīng)歷
　　1971年9月出生，大連人。1992年考入遼寧大學物理系，1999年獲得碩士學位。2003 年2月在中國科學技術(shù)大學物理系獲得理學博士學位。在博士期間參加了國家同步輻射實驗室XAFS 的安裝與調(diào)試工作；作為主要成員參加了國家自然科學基金“同步輻射研究表面熔化機理”和中科院創(chuàng)新“原位同步輻射技術(shù)研究半導體固-液相變的微觀機理”兩個研究項目；獲得安徽省第一屆核學會優(yōu)秀論文獎。
　　2003年3月在中國科學技術(shù)大學的核技術(shù)及其應用專業(yè)做博士后，在站期間參加了國家同步輻射實驗室XMCD站的安裝與調(diào)試工作；負責完成了“同步輻射研究III-V非磁性量子半導體的超磁阻效應” （中科院王寬誠獎勵基金）、“半導體低維量子結(jié)構(gòu)材料的同步輻射研究”（博士后資助金）和“低維半導體量子體系的同步輻射研究”（北京同步輻射實驗室的重點課題）的三個研究項目；獲得了安徽省第二屆核學會的研究論文二等獎。
　　現(xiàn)今，申請人是XMCD線站負責人。自2007年以來負責承擔了4項國家自然科學基金委的項目；獲得第四屆全國同步輻射學術(shù)會議“青年之光”優(yōu)秀論文二等獎；指導的碩士研究生的畢業(yè)論文獲得2009年安徽省優(yōu)秀碩士研究論文；2010年入選新世紀優(yōu)秀人才支持計劃。

　　二、主要研究方向
　　先進功能材料的結(jié)構(gòu)和性能及其相互關(guān)系，復雜金屬氧化物的界面和表面的幾何和電子結(jié)構(gòu)；功能材料的生長、相變等動態(tài)過程的原位動力學研究。

　　三、代表性科研成果
　　Mn摻雜的ZnO稀磁半導體：通過XAFS實驗和第一性原理計算，提出Zn空位是誘導其具有室溫鐵磁性的根本原因以及N原子能夠誘導最近鄰Mn原子的磁相互作用，從反鐵磁性轉(zhuǎn)變?yōu)殍F磁性的觀點。相應的研究工作發(fā)表在 Appl．Phys．Lett （2篇）。工作發(fā)表后，得到了該領(lǐng)域的權(quán)威人士華盛頓大學Gamelin教授的來信祝賀。
　　Co摻雜的ZnO稀磁半導體：在明確了晶格完美的Co摻雜ZnO具有順磁性基礎(chǔ)上，通過引入O空位和Ag離子來調(diào)控其電子和能帶結(jié)構(gòu)，在其納米線、納米棒以及納米雜化結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)了室溫鐵磁性。相關(guān)的研究工作發(fā)表在 Appl．Phys．Lett （1篇）、J．Phys．Chem．C（2篇） 、J．Appl．Phys（3篇）和Phys．Rev．B（2篇）。
　　Co摻雜TiO2稀磁半導體：明確了在退火過程中形成的氧空位（Vo）與替代了Ti原子的CoTi形成了CoTi- Vo復雜體，提出了氧空位在間隙間引入的能級是導致其有室溫鐵磁性的根本原因以及摻雜Co原子的自旋狀態(tài)。相關(guān)的研究工作發(fā)表在 Appl．Phys．Lett（2篇）和J．Appl．Phys（1篇）

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