夏從新 ：男，漢族，1979年10月，河南永城人。副教授，碩士生導(dǎo)師。2004年6月畢業(yè)于河南師范大學(xué)物理與信息工程學(xué)院，獲碩士學(xué)位，留校從事教學(xué)和科研工作。2007年7月晉升講師，2010年11月破格晉升副教授。

教學(xué)工作：
主要承擔(dān)《固體物理》（春季），《普通物理》（秋季）的本科生教學(xué)工作。

研究領(lǐng)域：
主要從事半導(dǎo)體光電子學(xué)及器件的理論研究和設(shè)計(jì)。迄今為止，已在J．Appl．Phys 和J．Opt．Soc．Am．B等SCI源期刊上發(fā)表論文40余篇。近期研究興趣：
1）寬帶隙半導(dǎo)體材料中光電性質(zhì)的理論研究。
2）III族氮化物半導(dǎo)體基光電子器件的理論模擬和設(shè)計(jì)。
3）低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的量子調(diào)控。
4）高效太陽(yáng)能電池材料的理論模擬。

國(guó)家級(jí)項(xiàng)目：
主持國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“GaN基量子結(jié)構(gòu)的非線性光學(xué)性質(zhì)”[批準(zhǔn)號(hào)：60906044，22萬(wàn)，2010．1—2012．12]。

近期代表性文章：
[1] Electric field effects on optical properties in zinc-blende InGaN/GaN quantum dot
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Luminscence，131（2011）623．
[2]Effects of laser field and electric field on impurity states in zinc-blende GaN/AlGaN quantum well
Congxin Xia，Yanping Zhu，Shuyi Wei
Physics Letters A 375（2011）2652
[3]Nonlinear Franz-Keldysh effect：two photon absorption in a semiconducting quantum well
Congxin Xia，H． N． Spector
Journal of the Optical Society of America B 27（2010）1571．
[4]Electron and impurity states in GaN/AlGaN coupled quantum dots：Effects of electric field and hydrostatic pressure
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Applied Physics 108（2010）054307．
[5]Shallow-donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN asymmetric coupled quantum dots：effect of electric field
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Applied Physics 107（2010）054305．
[6]Effects of applied electric field and hydrostatic pressure on donor impurity states in cylindrical GaN/AlN quantum dot
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Applied Physics 107（2010）014305
[7] Nonlinear Franz-Keldysh effect：two photon absorption in semiconducting quantum wires and quantum boxes
Congxin Xia，H． N．Spector
Journal of Applied Physics 106（2009）124302/1-6．
（selected for the Vo1．21，No．1 of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology）
[8] Franz-Keldy effect in the interband optical absorption of semiconducting nanostructures
Congxin Xia，H． N．Spector
Journal of Applied Physics 105（2009）084313．
[9] Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Applied Physics 106（2009）094301．
[10]Electric field effect on the donor impurity states in zinc-blende symmetric InGaN/GaN coupled quantum dots
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Physics Letters A 374（2009）97．

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