危書義 教授 碩士生導(dǎo)師
危書義，男，漢族，1965年3月出生，河南省新密市人，九三學(xué)社成員，教授，凝聚態(tài)學(xué)科點(diǎn)碩士生導(dǎo)師。1986年7月北京大學(xué)物理系畢業(yè)，獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位。1991年7月河南師范大學(xué)物理系畢業(yè)，獲碩士學(xué)位。主講過《光學(xué)》、《電磁場》、《電動(dòng)力學(xué)》等本科生課程和《固體理論》、《表面與界面物理》等研究生課程。指導(dǎo)碩士研究生近20余名。長期從事半導(dǎo)體物理研究，對諸如半導(dǎo)體表面界面、金屬/半導(dǎo)體復(fù)合體系、寬禁帶直接帶隙氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)等都做過較深入的研究并取得一些創(chuàng)新性研究成果。這些成果對集成電路技術(shù)的發(fā)展、光電子器件的改進(jìn)等有一定的指導(dǎo)意義。在國內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文100余篇，其中70篇發(fā)表在國際著名刊物“Surface Science”、“J．Appl．Phys．”、 “Phys．Lett．A”上。研究成果引起國內(nèi)外同行專家的關(guān)注。近年來承擔(dān)過2項(xiàng)國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、6項(xiàng)省自然科學(xué)基金及科技攻關(guān)項(xiàng)目。主講的《光學(xué)》課程獲河南省精品課程。

研究領(lǐng)域： 半導(dǎo)體物理，低維量子結(jié)構(gòu)

研究組：

發(fā)表的主要論文：
1 Adsorption of Co on Si（100）surface．
Surf．Sci．, 504（2002）37
2 Exciton states in wurtzite InGaN strained coupled quantum dots：Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization．
J．Appl．Phys．97（2005）083705
3．Exciton in wurtzite GaN/AlxGa1-xN coupled quantum dots．
Journal of Luminescence, 118（2）（2006）139-146
4．Influence of the built-in electric field on luminescent properties in self-formed single InxGa1?xN/GaN quantum dots
Physica E．33 （2006）343-348
5．First-principles studies on the Au surfactant on polar ZnO surfaces
Physics Letters A．363 （2007）327–331
6．Exciton states and interband optical transitions in ZnO/MgZnO quantum dots
Journal of Luminescence, （2008．128：1285-1290）
7．Hydrogenic impurity states in zinc-blende GaN/AlN coupled quantum dots
Physics Letters A 372 （2008）6420–6423
8．Electric field effect on the donor impurity states in zinc-blende symmetric InGaN/GaN coupled quantum dots
Physics Letters A 374 （2009）97–100
9．Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot
J．Appl．Phys．106（2009）094301
10．Electron and impurity states in GaN/AlGaN coupled quantum dots：Effects of electric field and hydrostatic pressure
J．Appl．Phys．108（2010）054307
11．Shallow-donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN asymmetric coupled quantum dots：effect of electric field
J．Appl．Phys．107（2010）054305
12．Effects of applied electric field and hydrostatic pressure on donor impurity states in cylindrical GaN/AlN quantum dot
J．Appl．Phys．107（2010）014305

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