合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院導(dǎo)師:揭建勝
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合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院導(dǎo)師:揭建勝 正文
姓名:揭建勝
性別:男
出生年月:
職稱:研究員
學(xué)院:電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院
研究方向:低維半導(dǎo)體可控合成與表征;半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)電輸運(yùn);納米光電子器件.傳感器件;新型微納器件;納米器件集成與應(yīng)用;納米顯示技術(shù)。
簡 歷 | |
1995-1999年中國科技大學(xué)物理系本科,2004年于中國科技大學(xué)物理系獲理學(xué)博士學(xué)位,其后進(jìn)入香港大學(xué)與香港城市大學(xué)物理及材料科學(xué)系超金剛石及先進(jìn)薄膜研究中心從事博士后工作;2006年以人才引進(jìn)加入合肥工大,任研究員,博導(dǎo)。長期致力于低維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的制備.表征及應(yīng)用研究,以及探索納米材料在新一代電子.光電.傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用,取得多項(xiàng)具有創(chuàng)新性的研究成果,受到廣泛關(guān)注。在國際重要刊物發(fā)表論文近60篇,引用1200多次,并多次在國際國內(nèi)會議上報告研究工作。擔(dān)任Appl. Phys. Lett..J. Phys. Chem. C.Mater. Chem. Phys.等國際期刊審稿人。主持或參與了國家自然科學(xué)基金.教育部人才計劃.863.973等多項(xiàng)國家級研究項(xiàng)目?,F(xiàn)任職校分析測試中心咨詢委員會委員,電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院學(xué)術(shù)委員會委員,以及微納功能材料與器件實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人。 | |
研究方向 | |
主要研究方向: 低維半導(dǎo)體可控合成與表征;半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)電輸運(yùn);納米光電子器件.傳感器件;新型微納器件;納米器件集成與應(yīng)用;納米顯示技術(shù)。 主要研究課題: 1.2008年度教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才計劃基于低維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)新型微納器件的設(shè)計.構(gòu)建與應(yīng)用研究,NCET-08-0764,主持。 2.國家自然科學(xué)青年基金基于準(zhǔn)一維半導(dǎo)體高性能場效應(yīng)器件的研究,60806028,主持。 3.合肥工業(yè)大學(xué)校創(chuàng)新群體新型微納器件,2009HGCX0232,主持。 4.中國高技術(shù)研究發(fā)展計劃(國家863計劃)基于II-VI族半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的光電子器件研究,2007AA03Z301,副組長。 5.國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(973計劃)硅納米結(jié)構(gòu)的控制生長及相關(guān)應(yīng)用基礎(chǔ)研究,2006CB933000,參與子課題。 |
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教學(xué)工作 | |
主講研究生課程《納米電子材料與器件》 | |
獲獎情況 | |
微納功能材料與器件實(shí)驗(yàn)室主頁: [url]Http://nano.hfut.edu.cn[/url] 歡迎有志于納米科技的同學(xué)報考碩士.博士研究生。 |
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主要論著 | |
[1]Jiansheng Jie, W. J. Zhang, I. Bello, C. S. Lee, S. T. Lee, “One-dimensional II-VI nanostructures: Synthesis, properties and optoelectronic applications, Nano Today 5(4), 313-336 (2010) (Review Paper). [2]Jiansheng Jie, Wenjun Zhang, Yang Jiang, Xiangmin Meng, Yanqing Li, S. T. Lee, “Photoconductive characteristics of single-crystal CdS nanoribbons, Nano Letters 6, 1887-1892 (2006).(Highlighted by Nature China) [3]Jiansheng Jie, Wenjun Zhang, Kuiqing Peng, Guodong Yuan, Chun-Sing Lee,and Shuit-Tong Lee, “The surface-dominated transport properties of silicon nanowires, Adv. Funct. Mater. 18, 3251-3257 (2008). [4]Jiansheng Jie, Wenjun Zhang, Yang Jiang, S. T. Lee, “Single-crystal CdSe nanoribbon field-effect transistors and photoelectric applications, Appl. Phys. Lett. 89, 133118 (2006). [5]Jiansheng Jie, Wenjun Zhang, Yang Jiang, S. T. Lee, “Transport properties of single-crystal CdS nanoribbons, Appl. Phys. Lett. 89, 223117 (2006). [6]Jiansheng Jie, Guanzhong Wang, Yiming Chen, Xinhai Han, Qingtao Wang, and J. G. Hou. “Synthesis and optical properties of the well-aligned ZnO nanorods on undoped ZnO film, Appl. Phys. Lett. 86, 031909 (2005). (Highlighted by Nature China) [7]Jiansheng Jie, Guanzhong Wang, Xinhai Han, Gongpu Li, and J. G. Hou. “Synthesis and Characterization of ZnO:In nanowires with superlattice structure, J. Phys. Chem. B 108, 17027-17031 (2004). [8]Jiansheng Jie, Guanzhong Wang, Xinhai Han, Jieping Fang, Qingxuan Yu, Yuan Liao, Bo Xu, Qingtao Wang, Rongchuan Fang, J. G. Hou. “Growth of ternary oxide nanowires by Au-catalyzed vapor-phase evaporation, J. Phys. Chem. B 108, 8249-8253 (2004). [9]Jiansheng Jie, Guanzhong Wang, Qingtao Wang,Yiming Chen, Xinhai Han, Xiaoping Wang, and J. G. Hou. “Synthesis and characterizations of well aligned ZnO nanorods on porous aluminum oxide template, J. Phys. Chem. B 108, 11976-11980 (2004). [10]Jiansheng Jie, Chunyan Wu, Yongqiang Yu, Li Wang and Zhizhong Hu,“Gallium-assisted growth of flute-like MgO nanotubes, Ga2O3-filled MgO nanotubes, and MgO/Ga2O3 co-axial nanotubes,Nanotechnology 20, 075602 (2009). (Reported by Nanotechweb.org in Lab Talk) [11] Jiansheng Jie, Wenjun Zhang, Yang Jiang, Xiangmin Meng, J. A. Zapien, M. W. Shao, S. T. Lee, “Heterocrystal and bicrystal structures of ZnS nanowires synthesized by plasma enhanced chemical vapour deposition, Nanotechnology 17, 2913-2917 (2006). [12] Jiansheng Jie, Guanzhong Wang, Xinhai Han, Qingxuan Yu, Yuan Liao, Gongpu Li, and J. G. Hou. “Indium-doped zinc oxide nanobelts, Chem. Phys. Lett. 387, 466-470 (2004). (2003-2007, Chem. Phys. Lett. Top-50 most cited articles). [13] Jiansheng Jie, Guanzhong Wang, Xinhai Han, Jieping Fang, Bo Xu, Qingxuan Yu, Yuan Liao, Fanqing Li, and J. G. Hou. “Growth and properties of well-aligned ZnO hexagonal cones prepared by carbonthermal reaction, J. Crystal Growth 267, 223-230 (2004). [14] L. Wang, Jiansheng Jie*, C. Y. Wu, Z. Wang, Y. Q. Yu, Q. Peng, X. W. Zhang, Z. Z. Hu, D. Wu, H. E. Guo, Y. Jiang, “Coaxial ZnSe/Si nanocables with controlled p-type shell doping, Nanotechnology 21 (28), 285206 (2010). [15] Di Wu, Jiang Yang, Li Wang, Shanying Li, Bo Wu, Yongqiang Yu, Chunyan Wu, Jiansheng Jie*, “High-performance CdS:P nanoribbon field-effect transistors constructed with high-κ dielectric and top-gate geometry, Appl. Phys. Lett. 96 (12), 123118 (2010). [16] Shanying Li, Yang Jiang, Di Wu, Li Wang, Bo Wu, Xinzheng Lan, Yongqing Yu, Zhuangxing Wang, Jiansheng Jie*, “Enhanced p-type conductivity of ZnTe nanoribbons by nitrogen doping, J. Phys. Chem. C 114 (17), 7980-7985 (2010). [17] Xiujuan Zhang, Jiansheng Jie, Wenfeng Zhang, Linbao Luo, Zhubin He, Chengyi Zhang, Xiaohong Zhang, Wenjun Zhang, Chun-Sing Lee, and Shuit-Tong Lee, “Photoconductivity of a single small molecular organic nanowire, Adv. Mater. 20, 2427 (2008). [18] Zhubing He, Jiansheng Jie, Wenjun Zhang, Wenfeng Zhang, Linbao Luo, Xia Fan, Guodong Yuan, Igor Bello, and Shuit-Tong Lee, “Tuning electrical and photoelectrical properties of CdSe nanowires via indium doping, Small 5, 345-350 (2009). [19] L. B. Luo, Jiansheng Jie, W. F. Zhang, Z. B. He, J. X. Wang, G. D. Yuan, W. J. Zhang, L. C. M. Wu, and S. T. Lee, “Silicon nanowire sensors for Hg2+ and Cd2+ ions, Appl. Phys. Lett. 94, 193101 (2009). [20] Wenfeng Zhang, Jiansheng Jie, Zhubing He, Silu Tao, Xia Fan, Yechun Zhou, Guodong Yuan, Linbao Luo, Chun-Sing Lee, Wenjun Zhang, and Shuit-Tong Lee, “Single zinc-doped indium oxide nanowire as driving transistor for organic light-emitting diode, Appl. Phys. Lett. 92, 153312 (2008). [21] Wenfeng Zhang, Jiansheng Jie, Linbao Luo, Guodong Yuan, Zhubing He, Zhiqiang Yao, Zhenhua Chen, Chun-Sing Lee, Wenjun Zhang, and Shuit-Tong Lee, “Hysteresis in In2O3:Zn nanowire field-effect transistor and its application as a nonvolatile memory device, Appl. Phys. Lett. 93, 183111 (2008). [22] Kuiqing Peng, Jiansheng Jie, Wenjun Zhang, and Shuit-Tong Lee, “Silicon nanowires for rechargeable lithium-ion battery anodes, Appl. Phys. Lett. 93, 033105 (2008). [23] Guodong Yuan, Wenjun Zhang, Jiansheng Jie, X. Fan, J. A. Zapien, Y. H. Leung, L. B. Luo, P. F. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, “P-type ZnO Nanowire Arrays, Nano Lett. 8, 2591-2597 (2008). [24] Guodong Yuan, Wenjun Zhang, Jiansheng Jie, Xia Fan, Jinxin Tang, Ismathullakhan Shafiq, Zhizhen Ye, Chun-Sing Lee, and Shuit-Tong Lee, “Tunable n-type conductivity and transport properties of Ga-doped ZnO nanowire arrays, Adv. Mater. 20, 168-173 (2008). [25] Yang Jiang, Wenjun Zhang, Jiansheng Jie, Xiangmin Meng, J. A. Zapien, S. T. Lee, “Homoepitaxial growth and lasing properties of ZnS nanowire and nanoribbon arrays, Adv. Mater. 18, 1527-1532 (2006). [26]Yang Jiang, Wenjun Zhang, Jiansheng Jie, Xiangmin Meng, Xia Fan, and S. T. Lee, “Photoresponse properties of CdSe single-nanoribbon photodetectors, Adv. Funct. Mater. 17, 1795-1800 (2007). |
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