合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師:魯穎煒

發(fā)布時間:2021-10-28 編輯:考研派小莉 推薦訪問:
合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師:魯穎煒

合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師:魯穎煒內(nèi)容如下,更多考研資訊請關(guān)注我們網(wǎng)站的更新!敬請收藏本站,或下載我們的考研派APP和考研派微信公眾號(里面有非常多的免費(fèi)考研資源可以領(lǐng)取,有各種考研問題,也可直接加我們網(wǎng)站上的研究生學(xué)姐微信,全程免費(fèi)答疑,助各位考研一臂之力,爭取早日考上理想中的研究生院校。)

合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師:魯穎煒 正文


  教師信息

姓名 魯穎煒 性別
出生年月 1978年10月 最高學(xué)位  
最高學(xué)位
獲得單位
天津大學(xué)
從事專業(yè) 材料學(xué),材料物理與化學(xué) 職務(wù)  
所屬系所 無機(jī)與粉末材料系 職稱 研究員

  聯(lián)系方式
  辦公電話:
  E-mail:luyw1031@hotmail.com
  通訊地址:安徽省合肥市合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
  郵編:230009

  簡歷
  2013年4月---今 合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院無機(jī)與粉末材料系,研究員,黃山青年學(xué)者
  2011年6月---2012年8月 丹麥技術(shù)大學(xué)物理系,博士后
  2008年4月---2011年3月 奧胡斯大學(xué)(丹麥),物理與天文系,博士后
  2005年3月---2008年3月 天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,博士生
  2004年2月---2007年12月 摩托羅拉(中國)天津工廠材料及失效分析實驗室,兼職實習(xí)生
  2002年9月---2005年3月 天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,碩士生
  1997年9月---2001年6月 合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,本科生

  研究方向及科研項目
  研究方向:基于無機(jī)納米材料的光電子學(xué)(Optoeletronics),等離子體學(xué)(Plasmonics)以及自旋學(xué)(Spintronics)研究
  科研項目:黃山青年學(xué)者啟動資金

  代表論文及著作
  1.S.Kumar,Y.W.Lu,A.Huck and U.L.Andersen.Propagation of plasmons in designed single crystalline silver nanostructures.Optics Express,20,24614 (2012)
  2.B.Julsgaard,Y.W.Lu§,R.V.S.Jensen,T.G.Pedersen,K.Pedersen,J.Chevallier,P.Balling and A.N.Larsen.Er sensitization by a thin Si layer:Interaction-distance dependence.Physical Review B,84,085403 (2011) [§ Equally contribution]
  3.Y.W.Lu*,B.Julsgaard,M.C.Petersen,R.V.S.Jensen,T.G.Pedersen,K.Pedersen and A.N.Larsen.Erbium diffusion in silicon dioxide.Applied Physics Letters,97,141903 (2010) [* Corresponding author]
  4.B.Julsgaard,Y.W.Lu,P.Balling and A.N.Larsen.Thermalization of exciton states in silicon nanocrystals.Applied Physics Letters,95,183107 (2009)
  5.W.J.Qin,X.B.Yang,Y.W.Lu,J.Sun,S.A.Kulinich and X.W.Du.Silicon nanodisks via a chemical route.Chemistry of Materials,20,3892 (2008)
  6.X.W.Du,H.Li,Y.W.Lu,L.Cui and P.Yao.The effect of sputtering deposition rate on the agglomeration and crystallization of Si clusters.Materials Letters,61,4079 (2007)
  7.J.Sun,J.Q.Li,X.W.Du,Y.W.Lu and X.Han.Hybrid nanocomposite of Fe nanoparticles on SiO2 nanowires by sublimation route.Materials Letters,61,3783 (2007)
  8.X.W.Du,H.Li,Y.W.Lu and J.Sun.Preferential growth of Si nanocrystals in SiO2/Si/SiO2 sandwich structure.Journal of Crystal Growth.305,59 (2007)
  9.X.W.Du,W.J.Qin,Y.W.Lu,X.Han,Y.S.Fu and S.L.Hu.Face-centered-cubic Si nanocrystals prepared by microsecond pulsed laser ablation.Journal of Applied Physics,102,013518 (2007)
  10.Y.W.Lu,X.W.Du,J.Sun,S.L.Hu,X.Han and H.Li.Formation and luminescent properties of face-centered-cubic Si nanocrystals in silica matrix by magnetron sputtering with substrate bias.Applied Physics Letters,90,241910 (2007)
  11.X.W.Du,X.Zhao,S.L.Jia,Y.W.Lu,J.J.Li and N.Q.Zhao.Direct synthesis of SiC nanowires by multiple reaction VS growth.Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology,136,72 (2007)
  12.Y.W.Lu,X.W.Du,J.Sun,X.Han and S.A.Kulinich.Influence of surface Si-Ag bonds on photoluminescence of porous silicon.Journal of Applied Physics,100,063512 (2006)
  13.X.W.Du,Y.W.Lu,J.P.Liu and J.Sun.Improvement of photoluminescence properties of porous silicon by silica passivation.Applied Surface Science,252,4161 (2006)
  14.X.W.Du,Y.W.Lu,S.A.Kulinich,J.Sun and P.Yao.Microporous silicon connected with silicon wires.Semiconductor Science and Technology,21,498 (2006)
  15.J.Sun,X.Han,X.W.Du and Y.W.Lu.The enhancement of photoluminescence from porous silicon with Si-Ti bond.Materials Letters,59,3135 (2005)
  16.J.Sun,Y.W.Lu,X.W.Du and S.A.Kulinich.Blue-light emission from porous silicon induced by laser irradiation.Materials Letters,59,2394 (2005)
  17.J.Sun,Y.W.Lu,X.W.Du and S.A.Kulinich.Improved visible photoluminescence from porous silicon with surface Si-Ag bonds.Applied Physics Letters,86,171905 (2005)

  獲獎及專利情況
  獲獎情況:2006年獲天津大學(xué)-肯納金屬獎學(xué)金
  專利情況:2005年申請國家發(fā)明專利:電致發(fā)光多孔硅材料及其制備方法(申請?zhí)枺?00510016317.5,2007年獲授權(quán))

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