2020年衡陽師范學(xué)院模擬電子技術(shù)研究生考試大綱
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2020年衡陽師范學(xué)院模擬電子技術(shù)研究生考試大綱 正文
一、試卷結(jié)構(gòu)1) 試卷成績及考試時間
本試卷滿分為100分,考試時間為90分鐘。
2) 答題方式
答題方式為閉卷、筆試。
3) 試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)
模擬電子技術(shù) 100%
4) 題型結(jié)構(gòu)及比例
A. 簡答、論述題: 50%
B. 計算、分析題: 50%
二、考試內(nèi)容與考試要求
1、緒論
(一)考試內(nèi)容
模擬信號、放大電路的主要性能指標(biāo)
(二)考試要求
(1)理解模擬信號的特點(diǎn);
(2)理解放大電路的主要性能指標(biāo)。
2、運(yùn)算放大器
(一)考試內(nèi)容
理想運(yùn)算放大器
(二)考試要求
(1)理解理想運(yùn)算放大器的特點(diǎn)及虛短、虛斷的概念;
(2)掌握比例運(yùn)算電路、求和運(yùn)算電路。
3、二極管及其基本電路
(一)考試內(nèi)容
半導(dǎo)體、PN結(jié)、二極管
(二)考試要求
(1)理解本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體及PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?br /> (2)掌握二極管的原理、參數(shù)及基本應(yīng)用電路。
4、雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)
(一)考試內(nèi)容
BJT、共發(fā)射極和共集電極放大電路
(二)考試要求
(1)理解BJT的放大原理、特性曲線;
(2)掌握共射、共集放大電路的靜態(tài)分析和動態(tài)分析。
5、場效應(yīng)管放大電路
(一)考試內(nèi)容
FET及其放大電路
(二)考試要求
(1)理解FET的結(jié)構(gòu)和分類;
(2)理解FET與BJT的區(qū)別、MOSFET的主要參數(shù)。
6、模擬集成電路
(一)考試內(nèi)容
差分放大器、集成運(yùn)算放大器
(二)考試要求
(1)理解零點(diǎn)漂移的概念、差分放大電路的特點(diǎn);
(2)理解共模信號、差模信號、實(shí)際運(yùn)放的主要參數(shù)。
7、反饋放大電路
(一)考試內(nèi)容
負(fù)反饋放大器
(二)考試要求
(1)理解負(fù)反饋的概念及對放大電路性能的影響;
(2)掌握負(fù)反饋的組態(tài)判斷及深度負(fù)反饋放大電路的估算。
8、功率放大電路
(一)考試內(nèi)容
OCL功率放大器
(二)考試要求
(1)理解功率放大電路的特點(diǎn);
(2)理解乙類放大電路的交越失真及其消除方法;
(3)掌握OCL功放的功率、效率計算。
9、信號處理與信號產(chǎn)生電路
(一)考試內(nèi)容
濾波器、電壓比較器、正弦波振蕩器
(二)考試要求
(1)理解濾波電路的分類;
(2)理解電壓比較器的分析方法;
(3)掌握正弦振蕩的條件及RC、LC振蕩器。
10、直流穩(wěn)壓電源
(一)考試內(nèi)容
整流、濾波、穩(wěn)壓電路
(二)考試要求
(1)理解直流穩(wěn)壓電源的組成、串聯(lián)式穩(wěn)壓電路的原理;
(2)掌握整流、濾波電路的工作原理及參數(shù)計算。
三、參考書目
[1].康華光.《電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分》(第五版).高等教育出版社,2006
衡陽師范學(xué)院
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